目的
光電変換手段と浮遊拡散容量の各暗電流が合流するノードにおける暗電流の合計値の絶対値をより小さい値として、画素出力信号値の誤差を軽減し得る固体撮像素子および撮像装置を提供する。
効果
ノードの暗電流の絶対値が増加することによる、出力信号の本来の信号値からの誤差を軽減し、精度がよい画素出力信号を得ることができる固体撮像素子および撮像装置を得ることができる。
この暗電流の合計値の絶対値は０とすることが望ましいが、光電変換手段と浮遊拡散容量の各暗電流の絶対値よりも小さい絶対値とし得る構成とされていれば、従来技術と比べて画素出力信号値の誤差を軽減し得る固体撮像素子および撮像装置を得ることができる。
技術概要
画素回路上に配設された、積層体からなる光電変換膜、またはフォトダイオードからなる光電変換部のいずれかの光電変換手段を単位画素毎に１つずつ配設してなるＣＭＯＳ型の固体撮像素子であって、
該画素回路は、基板上にトランジスタ部を配するように構成されるか、基板上にウエルを配し、該ウエル内にトランジスタ部を配するように構成され、
光電変換により発生した電子正孔対のうちいずれか一方を前記光電変換手段のキャリアとして用いるように構成され、
前記光電変換手段の暗電流はキャリアが正孔または電子のいずれか一方とされ、かつリセットトランジスタのソースから構成される浮遊拡散容量の暗電流はキャリアが正孔または電子のいずれか他方とされ、
前記光電変換手段からの暗電流が、他の光電変換手段からの暗電流と合流することなく、前記浮遊拡散容量において発生した暗電流と合流するように構成され、
前記光電変換手段の暗電流と前記浮遊拡散容量の暗電流が合流するノードにおける該暗電流の合計値が、前記光電変換手段の暗電流値および前記浮遊拡散容量の暗電流値の各々の絶対値よりも小さい所望の絶対値となるように設定されていることを特徴とする固体撮像素子。
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