適用製品
磁壁移動素子、ならびに、磁壁移動素子を備える磁気記憶素子、磁気メモリおよび空間光変調器
目的
供給する電流の電流密度を高くすることなく、高速な書込みを可能とする磁気メモリおよび空間光変調器、ならびにその磁気記憶素子および磁壁移動素子を提供する。
効果
磁壁移動素子および磁気記憶素子によれば、供給する電流の電流密度が低く抑えられて磁性細線が劣化し難い。空間光変調器および磁気メモリによれば、高速の書込みが可能で、かつ、長寿命化および省電力化される。
技術概要
垂直磁気異方性材料からなる磁性層とスピンホール効果を有するチャネル層とを積層して細線状に形成してなる磁性細線を備え、前記磁性細線に電流を細線方向に供給されると、前記磁性層に生成している磁壁が、細線方向における前記電流の供給方向に対応した方向に移動する磁壁移動素子であって、
前記磁性細線の下側に配置された面内磁気異方性の硬磁性材料からなる磁界印加部材をさらに備え、
前記磁性細線は、前記磁界印加部材に対して、細線方向の一方または両方の外側に延設され、
前記磁界印加部材は、磁化方向が前記磁性細線の細線方向における所定の一方向に固定され、発する磁界が前記磁性細線に印加され、
前記磁性層が、磁壁の移動範囲の細線方向の前記一方側または両側の領域において、前記磁界により磁化方向を上向きまたは下向きに固定されている磁壁移動素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
