適用製品
導電領域の形成方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
目的
電極（例えば、薄膜トランジスタのゲート電極）への物理的なダメージを避けつつ、また取り扱いに注意が必要な可燃性ガスを用いることなく、酸化物半導体膜を用いて実施することができる、導電領域の形成方法及び薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果
電極（薄膜トランジスタのゲート電極等）への物理的なダメージを避けつつ、また取り扱いに注意が必要な可燃性ガスを用いることなく、酸化物半導体膜の低抵抗化が可能になり、高導電率の透明電極又は導電領域、低抵抗化されたソース・ドレイン領域を有する薄膜トランジスタを製造することができる。
技術概要
酸化物半導体膜の所定の領域を水蒸気プラズマに晒す工程を含む、導電領域の形成方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
