目的
深紫外光の取り出し効率がさらに高められた半導体発光素子を提供する。
効果
深紫外光の取り出し効率をさらに高めることが可能である。
技術概要
基板と、
半導体層とを備え、
前記基板は、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面とを有し、
前記半導体層は、前記第１主面上に配置されているｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層上に配置されており、かつ深紫外光を発生させる活性層と、前記活性層上に配置されているｐ型半導体層とを有し、
前記半導体層は、メサ構造を有し、
前記第２主面は、前記メサ構造と対向している第１領域と、前記第１領域の周囲にある第２領域とを有し、
前記第１領域は、平坦面で構成されており、
前記第２領域には、凹凸構造が形成されており、
平面視において、前記第１領域の幅は、前記メサ構造の幅の０．１倍以上３．０倍以下である、半導体発光素子。
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