目的
大面積化が可能であると共に、ｈＢＮ層からなる障壁材料の特性及び電流特性が低下するおそれが低い磁気トンネル接合素子を提供する。
効果
大型化が可能であると共に、ｈＢＮ層からなる障壁材料の特性及び電流特性が低下するおそれを低くすることができる。
技術概要
基板と、
前記基板上に積層された鉄ニッケル合金、コバルト鉄合金、ニッケルコバルト合金の何れか、及びこれらのホウ化物からなる第１強磁性体層と、
前記第１強磁性体層上にＣＶＤ合成によって直接積層された六方晶窒化ホウ素層と、
前記六方晶窒化ホウ素層上に積層された第２強磁性体層と、
を有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
