圧電体素子、及び圧電体素子の製造方法

開放特許情報番号:L2024001753 開放特許情報登録日:2024/9/3 最新更新日:2024/9/3

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2022/11/14
公開日
2024/5/24
出願人
国立大学法人静岡大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
圧電体素子、及び圧電体素子の製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
圧電体素子、及び圧電体素子の製造方法
目的
高い圧電特性が得られる圧電体素子及び圧電体素子の製造方法を提供する。
効果
高い圧電特性が得られる圧電体素子及び圧電体素子の製造方法が提供される。
技術概要
基板、第1電極層、圧電体層、及び第2電極層をこの順で備え、
前記圧電体層は、Pb(Zr↓(1−X)Ti↓X)O↓3で表されるチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスからなり、前記Xが0.50〜0.65であり且つ正方晶系であるPZT層を有し、
前記第1電極層は、ニッケル酸ランタン系セラミックスからなるLNO層を有し、
前記基板は、熱膨張係数が2.59×10↑(−6)/Kより大きく、且つ前記PZT層の熱膨張係数より小さい、圧電体素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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