適用製品
金属酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ
目的
Ｉｎを含む金属酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて生じる電圧ストレスによる閾値シフトを、効果的に抑制する。また、ＩＴＺＯを用いた薄膜トランジスタにおいて生じるＮＢＴＳによる閾値シフトを、効果的に抑制する。
効果
Ｉｎを含む金属酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて生じる電圧ストレスによる閾値シフトを、効果的に抑制することができる。また、ＩＴＺＯを用いた薄膜トランジスタにおいて生じるＮＢＴＳによる閾値シフトを、効果的に抑制することができる。
技術概要
基板上に形成された薄膜トランジスタであって、
少なくともインジウム（Ｉｎ）を含む金属酸化物半導体層の少なくとも一部により形成されたチャネルと、
ゲート電極と、
前記チャネルと前記ゲート電極との間に配置されたゲート絶縁層と、
前記金属酸化物半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
を含み、
前記チャネルの表面から深さ５ｎｍまでの範囲における炭素原子の平均濃度が１．５×１０↑(２１)ｃｍ↑(−３)以下である、薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
