適用製品
特に画素内に増幅トランジスタを備えた撮像装置及び当該撮像装置を用いた放射線撮像装置
目的
画素内に増幅トランジスタを備えた撮像装置において、ＴＦＴの製造上のばらつきに起因するしきい値電圧のばらつきによる素子の歩留まり低下を防ぐことが可能な撮像装置及び当該撮像装置を用いた放射線撮像装置を提供する。
効果
撮像装置の画素アレイのＴＦＴの製造上のばらつきに起因するしきい値電圧を画素単位で調整することが可能となり、しきい値電圧のばらつきによる素子の歩留まりを向上させることができる。
技術概要
複数の行及び複数の列を構成する複数の画素が配置された画素アレイと、前記複数の列に対応して設けられた複数の信号線と、を備えた撮像装置であって、
各画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子から出力される電気信号を増幅する増幅トランジスタと、増幅された電気信号を前記信号線に出力する選択トランジスタとを有し、
前記増幅トランジスタは薄膜トランジスタであって、該薄膜トランジスタは第１の制御電極と第２の制御電極とを有し、
前記第１の制御電極と前記第２の制御電極との一方に、前記薄膜トランジスタのしきい値を調整する調整電圧を画素ごとに生成して印加する調整電圧生成部を備える撮像装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
