リザバー計算用電子素子

開放特許情報番号:L2024001226 開放特許情報登録日:2024/5/20 最新更新日:2024/5/20

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2022/7/14
公開日
2023/8/4
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化前
発明の名称
リザバー計算用電子素子
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
リザバー計算用電子素子
目的
リザバー部の非線形性が高くて計算リソースを抑えることができ、かつコンパクトで集積化に適するリザバー計算用の電子素子を提供する。
効果
リザバー部の非線形性が高くて計算リソースを抑えることができ、かつコンパクトで集積化に適するリザバー計算用の電子素子が提供される。
技術概要
半導体層、イオン伝導体、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は前記半導体層と電気的に接触し、
前記ゲート電極は、前記半導体層上における前記ソース電極の電気的接触面と前記ドレイン電極の電気的接触面の間に形成されるチャネル層に、前記イオン伝導体を介して配置される、リザバー計算用電子素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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