適用製品
ナノシートを結晶軸方位に沿って切断する方法、および、切断されたナノシート
目的
ナノシートを結晶軸方位に沿って切断する方法、および、それによって得られるナノシートを提供する。
効果
ナノシートが基板の凹凸構造に吸着し、ナノシート面内に引張応力が発生する。その結果、ナノシートは結晶軸方位に沿って切断される。
技術概要
ナノシートを結晶軸方位に沿って切断する方法であって、
ナノシートが有機溶媒に分散したナノシート分散液を調製することと、
凹凸構造を有する基板を準備することと、
基板上にナノシート分散液を用い、ナノシートからなるナノシート単層膜を形成することと
を包含し、
ナノシート、有機溶媒および基板は、次式を満たす方法。
nL>(x×E×L)/(S×(A1−A2)×sinθ)
nL>d
ここで、Lは、ナノシートのユニットセルの1辺の長さ(m)であり、nLは、ナノシートの短手方向の長さ(m)であり、Sは、ナノシートのユニットセルの面積(m↑2)であり、Eは、ナノシートを構成する原子間の結合エネルギー(J/mol)であり、xは、ユニットセルと同じ大きさのナノシートを仮定した場合に、ナノシートの水平面に垂直な結晶面を横切る化学結合の数(mol)であり、A1は、ナノシートと基板との間の接着エネルギー(J/m↑2)であり、A2は、ナノシートと有機溶媒との間の接着エネルギー(J/m↑2)であり、θは、基板の凹凸構造の側面と、基板の主面とのなす角であり、0°より大きく90°未満であり、dは、凹凸構造の凸部と凸部との間の距離(m)である。