磁気センサ

開放特許情報番号:L2024001146 開放特許情報登録日:2024/5/14 最新更新日:2024/5/14

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2022/4/12
公開日
2023/10/24
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化前
発明の名称
磁気センサ
開放特許情報
技術分野
情報・通信 電気・電子 食品・バイオ
機能
機械・部品の製造 検査・検出
適用製品
磁気センサ
目的
脳磁計のような非常に微弱な磁界が検出できる磁気センサを提供する。
効果
磁気センサによれば、磁気抵抗素子の膜厚方向に、側方翼部と重なる状態で設けられると共に、通電枢軸部とは重ならない状態で設けられた磁束収束磁性体層とを備えるので、通電枢軸部に流れるGMR電流が磁気抵抗素子と側方翼部と重なる領域に分散せず、微弱な磁界が検出できる。
技術概要
第1の磁性層、非磁性層及び第2の磁性層を順次積層した多層膜を有する磁気抵抗素子であって、通電枢軸部と、当該通電枢軸部の通電方向と面内直交する方向の面内側縁に設けられ且つ前記通電方向に沿って絶縁または高抵抗の領域で隔てられた複数の側方翼部とを備える前記磁気抵抗素子と、
前記通電枢軸部の面内直交方向に沿った両側にそれぞれ配置した一対の磁束収束磁性体層であって、前記磁束収束磁性体層は、前記磁気抵抗素子の膜厚方向に、前記側方翼部と重なる部位を有する、
磁気センサ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved