適用製品
高効率化した紫外発光ダイオードおよびその製造方法
目的
低転位に加えて、光取出し効率ηＬＥＥにメリットのある光学的作用、より具体的には、散乱等の光の方向変換作用をバッファー層に発揮させることを可能にすることにより、高効率のＤＵＶＬＥＤの実現する。
効果
バッファー層に光学的な方向変換作用をもたせることにより、光取出し効率ηＬＥＥを高めた紫外ＬＥＤが実現される。
技術概要
紫外発光ダイオード１００Ａは、凸部１１２の配列が形成された単結晶のサファイア基板１１０Ａと、サファイア基板に形成されたＡｌＮ結晶のバッファー層１２０Ａと、バッファー層に接して形成され、ｎ型導電層１３２、再結合層１３４、およびｐ型導電層１３６をバッファー層の側からこの順に積層して形成されている紫外発光層１３０を備えている。バッファー層が、複数のピラー１２４が配列されているピラー配列部１２４ａ、およびピラーが互いに結合して形成されている一体化部１２６を有しており、ピラーのそれぞれは、サファイア基板の凸部それぞれから一方の面１０４の法線方向に延び、一方の面の面内方向において互いにギャップＧにより隔てられている。紫外発光層から放出される光は、バッファー層のピラー配列部およびサファイア基板を通って外部に取り出される。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
