撮像素子

開放特許情報番号:L2024001100 開放特許情報登録日:2024/5/9 最新更新日:2024/5/9

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2019/11/14
公開日
2021/5/27
出願人
日本放送協会
特許権者
日本放送協会
権利化状況
権利化済
発明の名称
撮像素子
開放特許情報
技術分野
電気・電子 情報・通信
機能
材料・素材の製造
適用製品
撮像素子に係り、特にインテグラル立体方式の映像を撮影する撮像素子
目的
インテグラル方式の撮像素子においてTSVを用いてもフレームレートの低下を抑制できる撮像素子を提供する。
効果
画素エリアにおいて、マイクロレンズ周辺部、および、隣接するマイクロレンズの間の少なくともいずれかに対応した領域にTSVが形成されているので、画素エリアに並んだ1列分の画素を3つ以上の処理単位に分割して、1つのA/D変換回路が受け持つ画素数を容易に減らすことができる。したがって、インテグラル方式の超多画素の撮像素子においてTSVを用いても動画撮影時のフレームレートの低下を抑制することができる。
技術概要
画素エリアを有する画素基板と信号処理回路基板とを積層して備え、マイクロレンズを配列してなるマイクロレンズアレイを前記画素エリアに対向させるインテグラル方式の撮像素子であって、
前記画素基板の回路と前記信号処理回路基板の回路とを電気的に接続するTSV(Through Silicon Via)構造を備え、
前記画素エリアには、複数の画素から構成される画素ブロックが前記マイクロレンズに対向するように配列され、
前記画素ブロックは、前記マイクロレンズよりも小さく、
前記マイクロレンズにおいて光が十分に入射するマイクロレンズ中心部の周辺に位置するマイクロレンズ周辺部、および、隣接するマイクロレンズの間の少なくともいずれかを、前記画素エリアに投影した領域に、前記TSV構造が形成されており、
前記TSV構造は、
前記画素基板を貫通して形成されて前記信号処理回路基板の回路に電気的に接続された第1のTSVと、
前記画素基板の回路に電気的に接続された第2のTSVと、
前記画素基板の前記画素エリアが配置された面において第1のTSVと第2のTSVとを電気的に接続する中継電極と、を備えることを特徴とする撮像素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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