適用製品
ＭＩＳ型半導体装置の製造方法に係り、特にダイヤモンド半導体を用いたセーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するＭＩＳ型半導体装置の製造方法
目的
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供する。
効果
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
水素で終端されたダイヤモンドからなる第１主表面を有する半導体層を形成することと、
前記半導体層の水素で終端された面の少なくとも一部に接して絶縁体層を形成することと、
前記絶縁体層の少なくとも一部の上に導電体層を形成することを有し、
前記半導体層を形成することの直後から前記絶縁体層を形成することの直前に至るまで間の雰囲気が、真空、水素ガス、不活性ガスおよび不活性ガスが添加された水素ガスからなる群より選ばれる何れかの１つである、ＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
