カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法、重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び重水素ガスの製造方法

開放特許情報番号:L2024000988 開放特許情報登録日:2024/4/25 最新更新日:2024/4/25

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2023/2/10
公開日
2023/10/25
出願人
国立大学法人 熊本大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
カチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法、重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び重水素ガスの製造方法
開放特許情報
技術分野
化学・薬品 機械・加工 有機材料
機能
検査・検出
適用製品
室温(約25℃)にてプロトン導電性及び電子伝導性の両者を発揮する混合導電性酸化グラフェンシートの製造方法並びに重水素選択透過膜の製造方法、重水素選択透過膜及び当該重水素選択透過膜を利用した重水素ガスの製造方法
目的
再現性がよく、実用化に適する混合導電性酸化グラフェン膜の製造方法を提供する。
効果
再現性がよく、実用化に適する混合導電性酸化グラフェン膜の製造方法が提供される。
技術概要
電子伝導性及びプロトン導電性を有するカチオンドープ酸化グラフェン混合導電性膜の製造方法であって、
カチオンをドープした酸化グラフェン膜を大気中100℃以上130℃未満の範囲内の一定温度で所定時間加熱して部分還元した後、室温で放冷し、次いで、アルゴン雰囲気下、相対湿度90%以上で加湿することを特徴とする製造方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
国立大学法人熊本大学
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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