目的
低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードを提供する。
効果
低電流密度での純粋円偏光生成及び歩留まりが向上した円偏光発光ダイオードを提供することができる。
技術概要
ダブルヘテロ構造、前記ダブルヘテロ構造上に配置されたトンネル絶縁膜、及び前記トンネル絶縁膜上に配置された強磁性体電極を有する円偏光発光ダイオードであって、
前記トンネル絶縁膜が、砒化アルミニウム層及び前記砒化アルミニウム層上に配置された酸化アルミニウム層を含み、
前記ダブルヘテロ構造が、ガリウム、アルミニウム、及びヒ素を含み、且つ前記トンネル絶縁膜の前記砒化アルミニウム層に接する位置に配置された砒化ガリウム層を含む、
円偏光発光ダイオード。
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