適用製品
薄膜とその製造方法、円偏光検出素子、デバイス、および方法
目的
円偏光を直接検出するために、系全体に大きなキラル構造を促す新たな薄膜およびその製造方法。
効果
広い波長域の円偏光の直接検出を可能とする薄膜とその製造方法、当該薄膜を備えた円偏光検出素子、デバイス、および方法を提供することができる。
技術概要
円偏光検出のための薄膜であり、
ペロブスカイト型物質からなり、鎖状構造体を構成する複数の無機鎖と、
隣接する前記無機鎖同士の境界部のうち、少なくとも一部に含まれるキラル分子と、を備え、
前記キラル分子は、Ｓ体のキラル分子またはＲ体のキラル分子のどちらか一方のみ、あるいはどちらか一方の存在割合が他の一方の存在割合より高く、
前記ペロブスカイト型物質の結晶構造が、所定の方向に配向しており、
前記薄膜の単位厚み当たりの吸収強度が、５０，０００ｃｍ↑(−１)以上５００，０００ｃｍ↑(−１)以下であり、
前記ペロブスカイト型物質と前記キラル分子とが、三種類のイオンＡ、Ｂ、Ｘで構成される化合物ＡＢＸ↓３を構成し、
前記イオンＢ、前記イオンＸが、八面体構造を有する複数の単位ユニットを形成しており、かつ隣接する前記単位ユニットの前記八面体構造同士が、一つの面を共有する構造を含み、
前記キラル分子が、芳香族化合物であり、かつ、前記芳香族化合物が、芳香環を二つ以上有することを特徴とする薄膜。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
