適用製品
太陽電池、薄膜トランジスタ（ディスプレイ）、受光センサー等に用いる半導体装置と、その製造方法
目的
基材にダメージを与える熱負荷を低減し、デバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度や発電効率を実現する半導体装置と、その製造方法を提供する。
効果
デバイス動作させたときに、従来よりも高いキャリア移動度を実現することができる。
基材にダメージを与えるような熱的負荷を軽減することができる。
技術概要
基材と、
基材の一面に形成された半導体膜とを有し、
前記半導体膜は、電子線後方散乱回折法によって得られる平均粒径が１μｍ以上５μｍ以下のＧｅからなる結晶粒子からなる多結晶Ｇｅ膜であり、
正孔移動度が２５０ｃｍ↑２／Ｖ・ｓ以上３８０ｃｍ↑２／Ｖ・ｓ以下であることを特徴とする半導体装置。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
