適用製品
窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体の結晶基板
目的
さまざまな成長条件と組成で非単結晶基板の表面上に成長した窒化ガリウムベースのナノ柱状結晶の配列を制御する。
効果
結晶基板の表面に垂直に成長した窒化ガリウムベースのナノ結晶をステアリング結晶として設けることにより、ナノ柱状結晶の配列の制御が可能である。特にステアリング結晶と垂直に成長することによりナノ柱状結晶も垂直に成長することができる。
技術概要
分子線エピタキシー装置を用い窒素プラズマセルにより非単結晶基板の表面に窒素ガスを供給するとともにガリウム及びインジウムを供給することにより前記非単結晶基板の表面に窒化ガリウムベースのナノ結晶を垂直に成長させてステアリング結晶を成長する工程と、
前記ステアリング結晶上に窒化インジウムベースのナノ柱状結晶をさらに成長させる工程を含むことを特徴とする窒化物半導体の結晶基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
