目的
高温超伝導体も含むあらゆる超伝導体に適用でき、早期に精度良くクエンチを検出可能とする技術を提供する。
効果
超伝導体に生じたクエンチを検出するために利用することができる。特に高温超伝導体に生じたクエンチの検出に有用である。
技術概要
超伝導体におけるクエンチの発生を検出するクエンチ検出方法であって、
（Ａ）超流動ヘリウムに浸漬させた状態で超伝導体に通電するステップと、
（Ｂ）前記超流動ヘリウムの膜沸騰によって生じる温度または圧力の変動をセンサによって検出するステップと、
（Ｃ）前記検出結果に基づいてクエンチの発生を検出するステップとを備えるクエンチ検出方法。
基本情報
開放特許情報
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