目的
測定対象部位が、所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とする。また、温度履歴記憶装置の動作時における消費電力の低減を実現させる。
効果
測定対象部位が所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とすることができる。また、温度履歴記憶装置の動作時における消費電力の低減を実現することができる。
技術概要
電流ヒューズ素子（F↓1）と負の温度係数（NTC）を持つNTCサーミスタ素子（NT↓1）との直列回路を含み、前記直列回路に印加される電圧をＶとし、
前記NTCサーミスタ素子（NT↓1）は、所定温度T↓cより低い温度で抵抗値R↓（ntl）を、前記所定温度T↓cより高い温度で抵抗値R↓（nth）を有し、
電流ヒューズ素子（F↓1）の内部抵抗値がR↓（f1）である時、
前記電流ヒューズ素子（F↓1）の定格電流I↓rは、
V / (R↓f1+ R↓（ntl）) ＜ I↓r＜ V / (R↓（f1）+ R↓（nth）)
であることを特徴とする温度履歴記憶装置。
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