目的
測定対象部位が所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とする。また、温度履歴記憶装置の動作時における消費電力の低減を実現させる。
効果
測定対象部位が所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とすることができる。温度履歴記憶装置の動作時における消費電力の低減を実現させることができる。
技術概要
電流ヒューズ素子（F↓1）とPTCサーミスタ素子（PT↓1）との並列回路を含み、
前記並列回路に印加される電圧をVとし、前記PTCサーミスタ（PT↓1）は、所定温度T↓c以下の低い温度で抵抗値R↓（ptl）を、前記所定温度T↓cより高い温度で抵抗値R↓（pth）を有し、電流ヒューズ（F↓1）の内部抵抗値R↓（f1）は、R↓（ptl）＜R↓（f1）＜R↓（pth）であり、
前記電流ヒューズ素子（F↓1）の定格電流I↓（r1）は、
V*R↓（ptl）/{R↓0(R↓（f1）+R↓（ptl）)+R↓（f1）R（ptl）}＜I↓r＜V*R↓（pth）/{R↓0(R↓（f1）+R↓（pth）)+R↓（f1）R↓（pth）}
の関係を有することを特徴とする温度履歴記憶装置。
但し、Ｒ↓０は、前記並列回路に直列に接続する保護抵抗Rの抵抗値である。
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