目的
Ｉ↓ｄ−Ｖ↓ｇ特性に乱れを生じることなく、ＰＮＢＴＳＯＩ−ＦＥＴ同士を並列接続する。
効果
Ｉ↓ｄ−Ｖ↓ｇ特性に乱れを生じることなく、ＰＮＢＴＳＯＩ−ＦＥＴ同士を並列接続することができる。
技術概要
ソースと、ドレインと、第１ゲートと、ボディコンタクト部と、を含むＭＯＳＦＥＴを備え、前記ボディコンタクト部と前記ソースおよび前記ドレインとの間に、前記ボディコンタクト部の不純物の型と反対の型の半導体層を備えた複数の単位半導体構造を並列にマルチフィンガー接続したマルチフィンガー半導体構造であって、
前記ボディコンタクト部および前記半導体層は、一体化されていることを特徴とするマルチフィンガー半導体構造。
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