マイクロ波プラズマ源

開放特許情報番号:L2023001367 開放特許情報登録日:2023/11/9 最新更新日:2023/11/9

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2017/11/24
公開日
2019/6/20
出願人
国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
特許権者
国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
マイクロ波プラズマ源
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
マイクロ波プラズマ源
目的
高密度のプラズマを形成し、マイクロ波の漏洩が抑制されたマイクロ波プラズマ源を提供する。
効果
高密度のプラズマを形成し、マイクロ波の漏洩が抑制されたマイクロ波プラズマ源が提供される。
技術概要
マイクロ波プラズマ源において、筒状磁石部は、第1開口端と第2開口端とを有する。第1開口端は、第1極性を有し、第2開口端は、第2極性を有する。筒状体は、筒状磁石部に囲まれる。第1磁気回路部は、第1開口端を閉塞する。第2磁気回路部は、第1磁気回路部に対向配置される。第2磁気回路部は、第1開口部を有する。アンテナは、第1磁気回路部を貫通し、空間に導入され、空間にマイクロ波電力を供給する。ノズル部は、第1開口部よりも開口面積が小さく第1開口部に連通する第2開口部を有する。筒状体の内径をa(mm)、空間に供給されるマイクロ波電力のマイクロ波遮断波長をλ(mm)としたときに、マイクロ波プラズマ源は、λ>3.41×(a/2)の関係式を満たすように構成される。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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