適用製品
ｈ−ＢＮ（六方晶窒化ホウ素）を含む半導体装置を製造するときに用いられるエッチング方法およびこのエッチング方法による半導体装置
目的
ｈ−ＢＮ膜を所望とする形状にパターニングを可能とすることで、ｈ−ＢＮ膜の効果が発揮できる半導体装置が得られるエッチング方法および半導体装置を提供する。
効果
ｈ−ＢＮ膜を所望とする形状にパターニングを可能とすることで、ｈ−ＢＮ膜の効果が発揮できる半導体装置が得られる。
技術概要
ｈ−ＢＮ膜をエッチングするエッチング方法であって、前記ｈ−ＢＮ膜をエッチングするエッチングガスとしてＦ↓２ガスを含むガスを導入して反応性イオンエッチングするステップを含むエッチング方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
