適用製品
磁化制御デバイス、磁化制御デバイスの製造方法、及び磁気メモリ装置
目的
非磁性金属と強磁性体との界面のスピンの偏りを増大させて強磁性体の磁化反転および磁化の向きの制御を高速化、省エネルギー化することができる磁化制御デバイス、磁化制御デバイスの製造方法、及び磁気メモリ装置を実現する。
効果
第１の強磁性体へ注入されるスピンの偏りや量を増大させて、第１の強磁性体の磁化の反転や制御を高速化、省エネルギー化することができる磁化制御デバイス、磁化制御デバイスの製造方法、及び磁気メモリ装置を実現することができる。
技術概要
非磁性金属と、
前記非磁性金属の第１面の一部に形成された第１の強磁性体と、
前記非磁性金属の第１面の反対側の第２面の一部に形成されたスピン拡散領域と、
を備え、
前記非磁性金属に電流を流すことにより、第１方向スピンが前記第１面の側に蓄積され、
前記第１方向スピンと逆方向を向いた第２方向スピンが前記第２面の側に蓄積され、
前記第１面の側に蓄積された第１方向スピンが、前記第１の強磁性体の磁化の向きを変更させるために前記第１の強磁性体に注入され、
前記第２面の側に蓄積された第２方向スピンが、前記第２面から前記スピン拡散領域に移動することを特徴とする磁化制御デバイス。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
