目的
外部磁場や電圧などを用いること無く、スピン軌道トルク磁化反転に基づいて強磁性金属層の磁化を反転させ、トルクを与え続けても磁化を片方の向きに留まらせることができる磁化制御デバイス及び磁気メモリ装置を実現する。
効果
簡素な構成により、外部磁場や電圧などを用いること無く、スピン軌道トルク磁化反転に基づいて強磁性金属層の磁化を反転させ、トルクを与え続けても磁化を片方の向きに留まらせることができる。
技術概要
第１方向に延伸する第１の非磁性金属と、
第１の強磁性体と、
を備え、
前記第１の強磁性体の少なくとも一部は、前記第１の非磁性金属の少なくとも一つの縁と、第２方向に積層され、
前記第１の非磁性金属の前記第２方向のスピンが、前記第１の強磁性体に注入されることにより、前記第１の強磁性体のスピンの向きが変化する磁化制御デバイス。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
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