目的
一旦形成された初期磁区の領域を光の変調動作に用いることができる磁気光学型光変調素子を提供する。
効果
光変調部の一部領域に一旦形成された初期磁区を消滅させることで、その領域を次回の光の変調動作に用いることができる。その結果、空間光変調器の開口率が上昇し、光の利用効率を向上させることができる。
技術概要
光変調用磁性体層を含み光入射側に配置される細線形状の光変調部と、光入射側とは反対側に配置され前記光変調部である磁性細線の両端に電気的に接続された一対の電極と、前記光変調部である磁性細線の両端に接続された一対の硬磁性体層と、を具備して初期磁区が生成された後に磁壁移動によって磁化反転を行う磁気光学型光変調素子であって、
前記光変調部は、光入射方向に積層された重金属層と絶縁体層とをさらに含み、前記重金属層と前記絶縁体層との間に前記光変調用磁性体層が配置されており、
前記絶縁体層は、光を透過する透明絶縁体で構成され、前記光変調用磁性体層における光入射面に接続されており、
前記電極は、前記硬磁性体層を介して前記重金属層に電気的に接続されており、
前記重金属層に、タンタル、白金、タングステン、ハフニウム、ビスマスからなる群から選択される１つの金属材料を用いている磁気光学型光変調素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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