表面応力センサーの受容体層クリーニング方法

開放特許情報番号:L2023000692 開放特許情報登録日:2023/6/16 最新更新日:2023/6/16

基本情報
出願番号
公開番号
WO2020/050110
登録番号
出願日
2019/8/28
公開日
2020/3/12
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
表面応力センサーの受容体層クリーニング方法
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
機械・部品の製造
適用製品
表面応力センサーの受容体層クリーニング方法
目的
薄膜の表面に設けられた受容体層により引き起こされた薄膜の表面応力の変化を検出する表面応力センサーにおける受容体層のクリーニングを、表面応力センサーの構造の変更を最小限に抑えつつ、簡単かつ効率的に行う。
効果
ピエゾ抵抗を利用した検出を行うタイプ等の表面応力センサーの効率的なクリーニングを、構造の複雑化を可能な限り回避しながら簡単に実行することができる。
技術概要
薄膜の表面に設けられた受容体層により引き起こされた前記薄膜の表面応力の変化を検出する表面応力センサーにおいて、
前記薄膜の少なくとも一部の表面領域を発熱させる、
表面応力センサーの受容体層のクリーニング方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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