適用製品
可視光全域に感度を有する光電変換膜、撮像素子、光電変換素子、撮像素子の製造方法および光電変換素子の製造方法
目的
結晶セレン層の内部で光励起された電荷を、透明導電層と結晶セレン層の界面でトラップされることなく走行させることで、残像の発生を抑制し、また、上記界面からの電荷の逆流を防ぐことで感度の低下を抑制し得る光電変換膜、撮像素子、光電変換素子、撮像素子の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供する。
効果
結晶セレン層と透明電極とが隣接する場合には生じていたショットキー障壁の発生を抑制することができる。
正孔が上記両層の間でトラップされることなく、透明電極へスムーズに侵入（走行）することができるため、残像の発生を抑制することができる。
より多くの電子を結晶セレン層に流入させることができ、素子の感度向上を図ることができる。
技術概要
光電変換部が結晶セレン層により形成される光電変換膜において、
前記結晶セレン層と、この結晶セレン層の光入射側に配された透明電極との間にｐ型で透明な金属酸化物半導体からなるショットキー障壁解消層が配されるように、かつ該結晶セレン層を挟んで、該ショットキー障壁解消層とは反対側にテルル層が配されるように積層してなることを特徴とする光電変換膜。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
