撮像素子

開放特許情報番号:L2023000622 開放特許情報登録日:2023/6/8 最新更新日:2023/6/8

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2018/8/1
公開日
2020/2/6
出願人
日本放送協会
特許権者
日本放送協会
権利化状況
権利化済
発明の名称
撮像素子
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
撮像素子
目的
波長域の選択性に優れて2以上の波長域の光の情報を波長域毎に独立して取得可能とし、感度および解像度が高く、信号の読出し特性が良好な撮像素子を提供する。
効果
波長域の選択性に優れて2以上の波長域の光の情報を波長域毎に独立して取得可能であり、感度および解像度が高く、信号の読出し特性が良好であり、簡易に製造することができる撮像素子が得られる。
技術概要
1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換し、かつ前記波長域と異なる1以上の波長域の光を透過させる第1の光電変換層と、前記第1の光電変換層が変換した電荷を電気信号として出力させる第1の読出回路と、前記第1の光電変換層を透過した1以上の波長域の光を吸収して電荷に変換する第2の光電変換層と、を上から順に備え、さらに前記第2の光電変換層が変換した電荷を電気信号として出力させる第2の読出回路を前記第1の読出回路よりも下方に備え、複数の波長域を含む光を上から入射される撮像素子であって、
前記第1の光電変換層は、耐熱温度が300℃未満の材料を含有し、両面を透明電極膜で挟まれ、
前記第1の読出回路は、電子移動度が5cm↑2/V・s以上の半導体材料で形成された薄膜トランジスタを備え、
前記第2の光電変換層は、耐熱温度が300℃以上の材料からなり、
前記第1の光電変換層の受光面から前記第2の光電変換層の受光面までの距離が10μm以下であることを特徴とする撮像素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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