目的
ＨＶＰＥ法により、ベース基板の非半導体の表面から結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させる。
効果
ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させることにより、結晶品質の高いＧａＮを結晶成長させることができる。
技術概要
ベース基板の非半導体の表面を、１０００℃を越える温度下で、Ｎ２ガス及びＮＨ３ガスを用いて窒化処理した後、ＨＶＰＥ法により、キャリアガスとしてＮ２ガスを用いて、前記ベース基板の非半導体の表面からＧａＮを結晶成長させるＧａＮ基板の製造方法。
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