目的
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供する。
効果
セーフティ、省エネルギー、かつ移動度が高くて高速動作に適するダイヤモンド半導体によるＭＩＳ型半導体装置およびその製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたｐ型のＭＩＳ型半導体装置であって、
前記半導体層は少なくとも前記絶縁体層と接する部分の一部が水素終端されたダイヤモンドからなり、
閾値電圧Ｖ↓（ＴＨ）が負電圧である、ＭＩＳ型半導体装置。
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