適用製品
熱電変換用の半導体材料およびそれを用いた熱電変換素子
目的
これまで開発されてきた技術の踏襲性や生産技術が活かせるように、熱電変換を担うホストの半導体の組成やドーパント量などには手を加えずに、熱電変換効率や熱電変換出力の高い熱電変換半導体材料および熱電変換素子を提供する。
効果
熱電半導体材料の組成やドーパント量などに手を加えずに、熱電変換効率や熱電変換出力の高い熱電変換半導体材料および熱電変換素子を提供することが可能になる。
ホストとなる熱電半導体材料の組成やドーパント量などは従来技術を踏襲しているため、様々な既存技術を踏襲することができ、既存の生産技術も活かすことが可能となる。
技術概要
ドーパントを含むＦｅＳｉ↓２からなる半導体に、前記半導体より、融点が高くかつ比抵抗の小さい、金属、合金および金属化合物からなる群より選ばれる１以上の低抵抗物が粒子として分散された焼結体からなる、熱電変換用の半導体材料。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
