目的
有機物等の残留量が大きい塗布型酸化物半導体において、従来よりも大きいキャリア移動度を得ることができる薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果
キャリアの移動度を大幅に向上させることができる。
技術概要
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、塗布型酸化物半導体層、およびソース・ドレイン電極を有する構成とされ、前記塗布型酸化物半導体層は、前記ゲート絶縁膜の上部または下部に位置するように、インジウム、亜鉛、スズおよびガリウムから選択される２種類以上の金属成分を含むとともに、フッ化水素酸を含む溶液を含む塗布型半導体前駆体溶液を所定のベース上に塗布し、酸化してなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
