適用製品
遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法およびそのための装置
目的
従来技術の課題を解決する膜形成方法およびそのための製造装置を提供する。ＭｏＳ↓２などの遷移金属ダイカルコゲナイド層状膜の成膜の安定性、制御性が高く、成膜面積の大面積化が図れ、かつコストの面でも優れる膜形成方法およびそのための製造装置を提供する。
効果
遷移金属ダイカルコゲナイド、特にＭｏＳ↓２の成膜の安定性、制御性が高く、成膜面積の大面積化が図れ、かつコストの面でも優れる膜形成方法およびそのための製造装置が提供される。
技術概要
遷移金属のブロックを酸化させて前記遷移金属の表面に前記遷移金属の酸化物層を形成することと、
前記酸化物層から前記酸化物を昇華させ、専用配管を介して、第１の不活性キャリアガスとともに前記酸化物のガスを基板に供給することと、
カルコゲン原子を含む反応性ガスを第２の不活性キャリアガスとともに前記基板に供給することと、
前記酸化物のガスおよび前記反応性ガスの前記基板への供給時に前記基板を加熱することと、
前記酸化物のガス、前記反応性ガス、前記第１の不活性キャリアガスおよび前記第２の不活性キャリアガスを排気すること、を含む遷移金属カルコゲナイド層状膜の形成方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
