光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板

開放特許情報番号:L2023000218 開放特許情報登録日:2023/3/29 最新更新日:2024/12/26

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2021/2/24
公開日
2022/9/5
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
機械・部品の製造
適用製品
光熱変換基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板
目的
光熱変換効率を増大させた光熱変換用基板、その製造方法、それを用いた赤外線センサおよび反応性基板を提供する。
効果
効率的に吸収した光を熱に変換できるとともに、実効的な熱伝導率が異方性を有するため、熱の保持効果に優れる。この結果、光熱変換効率が増大した光熱変換用基板を提供できる。
技術概要
光の照射によって発熱する光熱変換基板であって、
前記光の波長λにおける複素誘電率の虚部が正である材料からなり、
表面に互いに独立したピラーからなるナノ構造を有し、
前記ピラーの周期は、前記波長λの2倍以下であり、
前記ピラーの幅に対する前記ピラーの高さの比は、0.5以上であり、
前記ピラーの周期に対する前記ピラーの幅の比は、0.1以上1未満の範囲である、光熱変換基板。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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