ガスセンサ

開放特許情報番号:L2023000195 開放特許情報登録日:2023/3/23 最新更新日:2024/11/26

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2021/5/24
公開日
2022/12/6
出願人
国立研究開発法人物質・材料研究機構
特許権者
国立研究開発法人物質・材料研究機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
ガスセンサ
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
機械・部品の製造 検査・検出
適用製品
多様なガス種に対する高感度な検知能力を維持しつつ、水素の識別を新たに可能にするガスセンサ
目的
広範なガス種に対する高感度な検知能力を維持しつつ、水素の識別を新たに可能にするガスセンサを提供する。
効果
界面のスイッチング特性が雰囲気中の水素に敏感なため、ショットキー電極とオーミック電極間の抵抗をバイアス方向の間で比較することで、抵抗応答の極性の違いとして水素を明確に識別することが出来る。この抵抗応答は、電極界面での抵抗と、被検ガスの表面吸着によって変化する酸化物半導体材料での抵抗の合算なので、水素以外にも、半導体ガスセンサによって検出される多種多様なガスを同様に検出することができる。
技術概要
ショットキー電極とオーミック電極のペアを有する金属酸化物半導体基板と、
前記ショットキー電極とオーミック電極に正電圧と負電圧のバイアス電圧を印加する電圧印加手段と、
前記電圧印加手段により印加される正電圧と負電圧のバイアス電圧における前記ショットキー電極とオーミック電極間の抵抗を測定する抵抗値比較手段と、
前記抵抗値比較手段により測定された抵抗値を用いて、前記金属酸化物半導体基板の前記ショットキー電極とオーミック電極に位置する検知表面と接触する被検ガスが、水素ガスであるか、水素ガス以外の還元性ガス、又は酸化性ガスかを選択する被検ガス識別手段と、
を備えることを特徴とするガスセンサ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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