適用製品
平面型熱電変換素子、および、その製造方法
目的
微細加工プロセスに有利な平面型熱電変換素子、および、その製造方法を提供する。
効果
優れた熱電特性を有し、シリコン窒化膜はマグネシウム系熱電半導体膜と良好な界面を形成するため、素子特性の劣化を抑制できる。
シリコン窒化膜を形成することにより、リソグラフィ技術の利用において、レジストとの密着性が向上するため、その後のマグネシウム系熱電半導体薄膜の露出や電極形成といった微細加工プロセスによってもレジストが剥離することなく、歩留まりに優れる。
技術概要
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に位置する少なくとも一対の第１の熱電薄膜および第２の熱電薄膜と、
前記第１の熱電薄膜と前記第２の熱電薄膜とを接続する電極と
を備え、
前記第１の熱電薄膜は、マグネシウム系熱電半導体膜、および、前記マグネシウム系熱電半導体膜上に位置するシリコン窒化膜を備え、
前記電極は、前記第１の熱電薄膜のうち前記マグネシウム系熱電半導体膜と前記第２の熱電薄膜とを電気的に接続する、平面型熱電変換素子。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
