目的
近赤外の波長域でレーザー発振しうる実用的なＱＣＬの構造を提供する。
効果
近赤外で発光しうる実用的なＱＣＬ素子が提供される。
技術概要
一対の導電部に挟まれた半導体超格子構造を有する量子カスケードレーザー素子であって、
該半導体超格子構造が、動作のために該一対の導電部を通じ印加される外部電圧の下で近赤外領域のある波長の電磁波を放出する活性領域となり、
該活性領域は、繰り返して積層されている複数の単位構造を有しており、
各単位構造は、0≦x＜y≦1として、Ａｌ↓yＧａ↓（1-y）Ｎの組成のバリア層によって互いに仕切られたＡｌ↓xＧａ↓（1-x）Ｎの組成の４つのウェル層からなり、いずれかのウェル層が他のよりも厚い最大厚ウェル層であり、
前記一対の導電部の両方が、前記波長の電磁波に対して前記活性領域の屈折率よりも低い屈折率をもつものである
量子カスケードレーザー素子。
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