目的
主成分として酸窒化亜鉛を半導体層に用いた薄膜トランジスタにおいて、ＩＧＺＯ−ＴＦＴと同等程度以上の高い移動度を確保しつつ、電気的特性の安定性を向上させうる薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
効果
高い移動度を保持しつつ、経年的な電気的特性の安定化を図ることができる。
技術概要
活性層としての半導体層として、少なくともＺｎ、Ｏ、Ｎ、およびＴａを含む半導体を材料として用い、
前記半導体層に含まれるＴａの割合が０．３ａｔｏｍｉｃ％以上、かつ１．１ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
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