目的
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて、従来技術よりもチャネルの長さを短縮することができ、オン電流の増加を図ることが可能な薄膜デバイスを提供する。
効果
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて従来技術のものよりも短いチャネル長を得ることができ、さらに、酸化物半導体として、低抵抗領域を作製し易く、電界効果移動度を高くし得る材料を選択可能。
作成された低抵抗領域を介すれば、ソース電極からドレイン電極に至る電流流路（ソース電極側チャネル領域−低抵抗領域−ドレイン電極側チャネル領域）の全抵抗値を低減させることができる。
技術概要
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、酸化物半導体膜を保護するエッチストップ層、ソース/ドレイン電極部、および酸化物半導体膜中でドナーまたはアクセプタとなり得る原子または分子を含むコート層を、この順に積層してなる薄膜トランジスタであって、
第１の酸化物半導体膜の領域において、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重ならない領域が、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重なる領域よりも、抵抗率の低い低抵抗領域として構成されている薄膜トランジスタを備えた薄膜デバイスであって、
ゲート電極が、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の２つの領域に各々対応するように分割され、
分割されたゲート電極の一方と、ソース電極と、上下方向にソース電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第１の薄膜トランジスタ、および分割されたゲート電極の他方と、ドレイン電極と、上下方向にドレイン電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第２の薄膜トランジスタとを、備えたことを特徴とする薄膜デバイス。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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