目的
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて、従来技術よりもチャネルの長さを短縮することができ、オン電流の増加を図ることが可能な薄膜デバイスを提供する。
効果
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて従来技術のものよりも短いチャネル長とすることができ、より高いオン電流を得ることが可能である。
技術概要
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、酸化物半導体膜を保護するためのエッチストップ層、ソース/ドレイン電極部、および酸化物半導体膜中でドナーまたはアクセプタとなり得る原子または分子を含むコート層を、この順に積層してなる薄膜トランジスタであって、
酸化物半導体膜の領域において、コート層側を上方向としたときに、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重ならない領域が、ソース/ドレイン電極部と上下方向に重なる領域よりも、抵抗率の低い低抵抗領域として構成されている薄膜トランジスタを備えた薄膜デバイスであって、
ゲート電極が、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の２つの領域に各々対応するように分割され、
分割されたゲート電極の一方と、ソース電極と、上下方向にソース電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第１の薄膜トランジスタ、および分割されたゲート電極の他方と、ドレイン電極と、上下方向にドレイン電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第２の薄膜トランジスタとを、備えたことを特徴とする薄膜デバイス。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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