目的
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて、従来技術よりもチャネルの長さを短縮することができ、オン電流の増加を図ることが可能な薄膜デバイスを提供する。
効果
エッチストップ構造のＴＦＴにおいて従来技術のものよりも短いチャネル長を得ることができ、より高いオン電流を得ることが可能である。
技術概要
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、酸化物半導体膜を保護するエッチストップ層、およびソース電極とドレイン電極を有するソース/ドレイン電極部を、この順に積層してなる薄膜トランジスタであって
酸化物半導体膜は、ソース電極とドレイン電極に接する電極部隣接領域を各々有し
ソース電極側で電極部隣接領域に接する第１のチャネル領域と、ドレイン電極側で電極部隣接領域に接する第２のチャネル領域とを有し
２つのチャネル領域の各々の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有する低抵抗領域を有する薄膜トランジスタを備えた薄膜デバイスであって
ゲート電極が、ソース/ドレイン電極部を構成するソース電極側とドレイン電極側の領域に各々対応するように分割され
分割されたゲート電極の一方と、ソース電極と、上下方向にソース電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第１の薄膜トランジスタ、および分割されたゲート電極の他方と、ドレイン電極と、上下方向にドレイン電極と重ならず、エッチストップ層と重なる酸化物半導体膜の領域とを含んで構成された第２の薄膜トランジスタとを、備えたことを特徴とする薄膜デバイス。
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