目的
高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すｎ型導電型を示す２元系、３元系または４元系の窒化物半導体、より具体的には、１３族窒化物半導体膜を容易に製造し、それを用いたＨＥＭＴ素子を提供する。
効果
半導体デバイスとして利用し易く良質な１３族窒化物半導体膜を提供することができる。
技術概要
ソース、ゲート及びドレインが備えられ、ソース電極とドレイン電極とのコンタクト層に薄膜の窒化物半導体が用いられたＨＥＭＴであって、
前記窒化物半導体は、窒素と、Ｂ、Ａｌ、ＧａまたはＩｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の１３族元素を含有し、電子濃度が１×１０↑（20）ｃｍ↑（-3）以上で、且つ、比抵抗が０．３×１０↑（-3）Ω・ｃｍ以下である、ＨＥＭＴ。
基本情報
開放特許情報
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