目的
化学気相成長法により半導体基板を製造する際に、反りの発生を抑制する。
効果
化学気相成長法により半導体基板を製造する際に、低温バッファ層とメイン半導体層との間に中間半導体層を設け、その中間半導体層を形成するときの結晶成長温度を、低温バッファ層を形成するときの結晶成長温度よりも高く且つメイン半導体層を形成するときの結晶成長温度よりも低くすることにより、反りの発生を抑制することができる。
技術概要
化学気相成長法による半導体基板の製造方法であって、
ベース基板上にIII族窒化物半導体を結晶成長させて低温バッファ層を形成し、
前記低温バッファ層上に、前記低温バッファ層を形成するときの結晶成長温度よりも高い結晶成長温度でIII族窒化物半導体を結晶成長させて中間半導体層を形成し、
前記中間半導体層上に、前記中間半導体層を形成するときの結晶成長温度よりも高い結晶成長温度でIII族窒化物半導体を結晶成長させてメイン半導体層を形成する半導体基板の製造方法。
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