ＡｌＮ分極反転構造の製造方法

開放特許情報番号：L2022001096 開放特許情報登録日：2022/7/29 最新更新日：2023/3/24

基本情報

出願番号

公開番号

登録番号

出願日

2019/5/31

公開日

2020/12/10

出願人

国立大学法人山口大学

特許権者

国立大学法人山口大学

権利化状況

権利化済

発明の名称

ＡｌＮ分極反転構造の製造方法

開放特許情報

技術分野

情報・通信無機材料金属材料

機能

材料・素材の製造

適用製品

ＡｌＮ分極反転構造の製造方法

目的

歩留まりが高いＡｌＮ分極反転構造の製造方法を提供する。

効果

厚さ方向に分極した第１ＡｌＮ層上にＡｌＮを結晶成長させて第１ＡｌＮ層とは分極が反転した第２ＡｌＮ層を形成するので、第１及び第２ＡｌＮ層間の全面が概ね一様に接合された構造となり、そのため高い歩留まりを得ることができる。

技術概要

厚さ方向に分極した第１ＡｌＮ層の表面を、Ａｌ源ガス及びＮ源ガスが流通する雰囲気に曝し、前記第１ＡｌＮ層上にＡｌＮを結晶成長させて前記第１ＡｌＮ層とは分極が反転した第２ＡｌＮ層を形成するＡｌＮ分極反転構造の製造方法。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報