適用製品
半導体基板の製造方法及びそれに用いる下地基板
目的
転位が分散した半導体基板の製造方法を提供する。
効果
複数の小三角ファセット構造を形成し、各々、その複数の小三角ファセット構造のうちの２以上を取り込んだ複数の大三角ファセット構造を形成することにより、転位が分散した半導体基板を製造することができる。
技術概要
各々、所定方向に沿った断面形状が相対的に小さい三角形を構成するように半導体が結晶成長した複数の小三角ファセット構造を、それらが前記所定方向に並んで配設されるように形成するステップと、
各々、前記複数の小三角ファセット構造のうちの２以上を取り込むとともに、前記所定方向に沿った断面形状が相対的に大きい三角形を構成するように前記半導体が結晶成長した複数の大三角ファセット構造を、それらが前記所定方向に並んで配設されるように形成するステップと、
を含む半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
