複合素子、情報処理装置および複合素子センサ

開放特許情報番号:L2022000945 開放特許情報登録日:2022/6/21 最新更新日:2022/6/21

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2016/11/18
公開日
2018/5/24
出願人
独立行政法人国立高等専門学校機構
特許権者
独立行政法人国立高等専門学校機構
権利化状況
権利化済
発明の名称
複合素子、情報処理装置および複合素子センサ
開放特許情報
技術分野
情報・通信 電気・電子
機能
材料・素材の製造 機械・部品の製造
適用製品
複合素子
目的
情報の記憶のみならず伝搬機能を有し、かつ、記録密度を向上するための書き込みおよび読み取りの分解能の向上を図りうる新種の素子等を提供する。
効果
圧電性強誘電体に局所的な圧電歪みを残留またはこれを解除させるように電圧が少なくとも一時的に(たとえばパルス電圧が)印加されるだけで情報記憶機能または情報伝搬機能を発揮しうるので、その分だけ電力消費量の低減が図られる。磁気光学的手法を用いることで、チャネルのサイズ(情報の空間分解能)の制約を受けることなく情報(局所的な磁化状態)の読み取りが可能となるので、情報の伝送密度または記録密度の向上が図られる。
技術概要
鎖状構造を有する導電性高分子化合物と、前記導電性高分子化合物に対してその鎖状構造の延在方向に離散的にドープされている磁性粒子と、を有する超常磁性状態の複数のチャネルが、相互に電気的に絶縁された状態で直接的に隣接して配列されることにより構成されている導電性高分子化合物層と、
前記複数のチャネルのそれぞれの一端部または各端部に対して接合されている圧電性強誘電体と、を備えていることを特徴とする複合素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
独立行政法人国立高等専門学校機構 秋田工業高等専門学校
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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