適用製品
プラズマ発生装置、プラズマスパッタリング装置及びプラズマスパッタリング方法
目的
基板ダメージのない高速スパッタリング装置を提供する、ターゲット材の昇温機構を兼ね備えた高速スパッタリング装置を提供する、大口径基板への均一成膜を可能とする高速スパッタリング装置を提供する、イオンダメージの少ない高品質な結晶性薄膜形成が可能なスパッタリング装置を提供する、及び磁性体ターゲットにおいても薄膜形成が可能なスパッタリング装置を提供する。
効果
プラズマ源の下流域に高密度プラズマを生成することが可能となり、湾曲磁場によりターゲット材へのプラズマ照射効率を向上させることができる。高成膜速度で薄膜形成が実現できる。また、基板へのダメージを抑制した高速薄膜形成または高品質結晶薄膜形成が可能となる。また、ターゲット材に応じた最適プロセスを実現でき、ターゲット材料の蒸発及び昇華現象を重畳した高速成膜も可能となる。
技術概要
長手方向において内径が拡大し端部または側部にガス導入口を備えた絶縁管、該絶縁管の内径が拡大した領域に配され、該領域の壁面と交差しない長手方向の磁力線構造を形成する静磁場を印加可能な第１の電磁石または永久磁石群及び高周波アンテナを有した１個または複数個のプラズマ発生装置により１個または複数個のプラズマを発生させ、下流域に配設された第２の電磁石による湾曲した磁力線構造によりプラズマを真空槽へ流してターゲット近傍に局所化し、前記ターゲットへイオンを引き込むことを特徴とするプラズマスパッタリング方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
